ddr内存条的区别（分类和sdr内容条的区别）

ddr内存条的区别

随着intel十二代酷睿处理器上线，支持DDR5内存的600系列主板也随之到来，首款支持DDR5内存的是Z690芯片组，不过intel对于新一代的600系列主板并没有做到一刀切，而是分为DDR4和DDR5两种版本的Z690主板，用户可按个人需求来选择内存方案，当然后期不排除厂商会推出DDR4和DDR5内存双支持的主板。不过由于DDR5内存刚刚上市，所以无论是支持DDR5的主板还是DDR5内存都比较昂贵，上市初期最便宜的16G DDR5 4800MHz频率都需要千元左右的价位。那么内存DDR5和DDR4的区别是什么?下面装机之家分享一下DDR4和DDR5内存的性能差距对比。

DDR5内存

内存DDR5和DDR4的区别是什么?

1、内存频率

DDR5相比DDR4频率实现翻倍!DDR4刚上市时，主流内存频率一般只有2133和2400MHz，后期才进一步将内存频率提升到2666Mhz或以上，目前旗舰级DDR4内存频率可以做到4266MHz或更高。而DDR5内存上市初期发布的起步频率就是4800MHz，基本到达DDR4内存极限了，DDR5内存除了4800MHz频率，同时发布的还有更高的5200MHz和6400MHz频率，后续可能还会更高。

2、工作电压

DDR5相比DDR4拥有更高的能耗比!DDR4的工作电压为1.2V，而DDR5的工作电压下降至1.1V，功耗降低8%，意味着更加省电节能。

3、PMIC电源管理芯片

DDR4内存的PMIC电源管理芯片是集成在主板上的，DDR5还将PMIC电源管理芯片从主板集成到内存PCB板上面，它是智能电压调节系统的大脑，在监控电流的同时促进电压斜坡和电平的可配置性，减轻主板电源管理的负担。

4、单芯片密度

DDR5单芯片密度较高，单颗粒可达16GB，而DDR4单颗粒只有4GB容量，所以DDR4的内存容量会做的更大，单根内存达到256G甚至512G很正常，不过在消费级市场上，目前的内存需求还没有达到如此大，可能更多的会运用在高端消费级上。

5、接口不同

DDR4和DDR5在防呆口位置有略微的变动，意味着两者不能相互兼容，想要支持DDR5内存，那么主板必须要配备DDR5插槽才可以兼容DDR5内存，无法使用在DDR4插槽中。

6、带宽速度

内存带宽传输速度不同，以DDR4 3200频率为例，带宽为25.6GBps，DDR5 4800频率的带宽为38.4GBps。

7、ECC内存纠错机制

DDR5内存加入了ECC纠错功能，不过此ECC非彼ECC，只在DDR5中加入的是On-die Ecc纠错功能，可以理解为ECC的低配版，On-die Ecc只能纠错内存内部，而常说的Ecc，一般会有额外的颗粒分配给Ecc功能，能纠错运行中通信上的错误。DDR5内存上ECC功能主要还是提高内存的稳定性，降低蓝屏概率。

8、单根组建双通道?

我们知道，两根DDR4内存才可以组建双通道，不过DDR5内存单根内存就可以实现双通道，通过CPU-Z检测，如果插入一条DDR5内存，通道数就可以识别为双通道，但是并非是完全意义的双通道，可以理解为伪双通道。我们可以理解为原本DDR4内存只有一条64Bit通道传输数据，双通道为2x 64bits，而DDR5内存是通过拆分为2条32Bits，从而达到了1根内存双通道的效果，当然想要达到真正的双通道理想值，还需要使用2根内存组建。

9、时序

DDR4-2666时序普遍的基本在CL17-CL19，而DDR5-4800的普遍的时序一般是CL40，时序越高说明延迟越高，初期的DDR5可能在内存延迟上并不如意，不过频率暴增后不少数据依然会相比DDR4略强。其实这其实算是常态了，DDR3升级DDR4的时候，也有时序变高的问题，DDR4时序基本在CL17-CL19，相比DDR3的CL6-CL11，延迟也高了一些。

10、XMP3.0技术

XMP3.0技术是intel针对DDR5内存一键超频的技术，相对于XMP 2.0技术，最新的XMP 3.0技术具备了5个配置文件，其中这5个配置文件包括了3个固定配置和2个玩家自定义的配置，其名称可修改，且模块上电压可控，目前已经有厂商推出了可视化的超频软件，超频门槛大大下降，小白也能享受到超频的乐趣。

DDR4和DDR5内存的性能差距对比

为了更好的让大家了解DDR4和DDR5内存性能差异，i9-12900K分别采用(Z690 DDR4版本主板+2根16G DDR4 3600频率内存)和 (Z690 DDR5版本主板+2根16G DDR5 5200频率内存)进行测试，并分别使用CPU-Z、ChineBench R20以及3DMark Time Spy以及游戏帧数实测。

1、CPU-Z基准性能测试

采用DDR5内存相比DDR4内存，在CPU-Z基准测试中，CPU单线程性能基本没有任何提升，多线程性能也只略有提升，分数仅有200分左右的差距。

2、ChineBench R20测试

在ChineBench R20渲染测试中，与CPU-Z测试的相似，DDR5相比DDR4内存在CPU单线程测试下基本持平，DDR5在CPU多线程跑分中仅多出了200分左右，性能提升并不大。

3、3DMark Time Spy测试

通过3DMark Time Spy我们更直观的看出，DDR5对显卡基本没有提升，主要是对CPU性能有一定的提升，结合以上的CPU-Z、ChineBench R20测试，准确来说，DDR5对CPU多线程有一定的提升，但是提升有限，微乎其微。

4、游戏性能测试

至于DDR4和DDR5玩游戏差距，我们分别采用了DDR4和DDR5内存对游戏进行测试，使用RTX3060Ti显卡在2K高画质下，来看看游戏帧数有多大提升。通过测试得出结论，采用DDR5相比DDR4内存在游戏帧数上会略有提升，少则1-5帧，多则10多帧。

总结：

DDR5相比DDR4在频率与带宽上有着大幅提升，并且进一步对功耗降低，加入了On-die Ecc同时也提高了内存的稳定性，但是**的缺点就是时序高，延迟高，毕竟DDR5还属于初期产品，还需要一定的优化过程。通过以上的测试，DDR5内存对CPU多线程有一定的提升的，对独显基本没有提升，但是由于DDR5内存频率高，所以对游戏帧数是有一定的提升，或许核显上表现会更好。

现阶段装机，如果想要更好的装机性价比，个人还是建议完全成熟的DDR4内存，毕竟支持DDR5的主板和DDR5内存自身都比较偏贵，给装机带来更多成本，并且目前无论是游戏还是系统优化上都还不够，性能提升也是很小，当然对于有钱任性且追求新产品，那么直接上DDR5平台。

分类和sdr内容条的区别

SDR和DDR有什么区别

传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDRSDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。

一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。

DDR

DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器(DRAM)非常相象。普通同步DRAM(现在被称为SDR)与标准DRAM有所不同。

标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通(RAS)锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通(CAS)锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。

同步动态随机存储器(SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。

DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。

SDR

DRAM是动态存储器(DynaMIC RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

DDR内存分类

按内存条的接口形式，常见内存条有两种：单列直插内存条(SIMM)，和双列直插内存条(DIMM)。SIMM内存条分为30线，72线两种。DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。DIMM可单条使用，不同容量可混合使用，SIMM必须成对使用。

按内存的工作方式，内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步动态RAM)等形式。

FPA(FAST PAGE MODE)RAM 快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。

EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM 扩展数据输出随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，是存储速度提高30%。EDO一般是72脚，EDO内存已经被SDRAM所取代。

S(SYSNECRONOUS)DRAM 同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。

DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM ：SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

RDRAM(RAMBUS DRAM)存储器总线式动态随机存取存储器;RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型DRAM，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。他同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL将在其820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。由于这种内存的价格太过昂贵，在pc机上已经见不到他的踪影。

DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即：4bit数据读预取)。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

1.SDR

2.DDR(即DDR一代)

3.DDRII(即DDR二代)

4.DDRIII(即DDR三代)

几种内存条的金手指不同，所供工作电压也不同。不能通用，插槽也插不进。

SDR属淘汰之列，目前已找不到新产品，只有二手。

DDRII逐渐替代DDR，当前同容量的DDRII性能好过DDR，但价格比DDR低。DDR面临被淘汰。

DDRIII性能很好，正在发展，当前价格比其它高很多。

当前主流已经是DDRII，多年以后估计会是DDRIII。

现在常用的是DDR2，更高规格的有DDR3。

DDR和SDRAM已淘汰了